射频晶体管BFP183低噪声硅双极RF晶体管

射频晶体管BFP183低噪声硅双极RF晶体管，英飞凌射频晶体管

BFP183低噪声硅双极RF晶体管

2.5 GHz以下低噪声硅晶体管，所有这些通用类低噪宽带放大器（LNA）均基于硅双极技术。得益于20 GHz转换频率fT，这些器件易于使用并且稳定性卓越，同时在性价比上颇具竞争力。这些器件拥有合适的击穿电压，能够良好地支持5 V电源电压，是CA TV、调谐器、FM和ISM频段等领域的理想之选。

封装：SOT143-4-1

产品特色：

对于低噪声，高增益宽带放大器

 集电极电流为2 mA至30 mA

fT = 8 GHz，在900 MHz时NFmin = 0.9 dB

无铅（符合RoHS要求）封装

提供符合AEC-Q101的鉴定报告。