射频晶体管BFR35AP低噪声硅双极RF晶体管，英飞凌射频晶体管

NPN 硅射频晶体管，适用于在集电极电流从 0.5mA 至 20 mA 的情况下，高达 2GHz 的低失真宽带放大器和振荡器。

封装：SOT23

特征描述：

适用于在集电极电流从 0.5mA 至 20 mA 的情况下，高达 2GHz 的低失真宽带放大器和振荡器

无铅，符合 (RoHS )封装

应用：无线通信、射频前端放大器和振荡器应用。