射频晶体管BFS483低噪声硅晶体管
射频晶体管BFS483低噪声硅晶体管,英飞凌射频晶体管
NPN 硅射频晶体管,适用于集电极电流为 2 mA 到 30 mA 的低噪声、高增益宽带放大器
封装:SOT363
特征描述:
适用于集电极电流为 2 mA 到 30 mA 的低噪声、高增益宽带放大器
900 MHz 下 fT = 8 GHz,F = 0.9 dB
两个(电流)内部隔离晶体管封装在一个封装中
卷轴中的方向请参见数据表中的封装信息
无铅,符合 (RoHS )封装
根据AEC-Q101提供的认证报告
潜在应用
无线通信
射频前端放大器和振荡器应用。
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