射频晶体管BFP182R低噪声硅双极RF晶体管，英飞凌射频晶体管

NPN 硅射频晶体管，适用于集电极电流为 1 mA 到 20 mA 的低噪声、高增益宽带放大器

封装：SOT143

特征描述：

适用于集电极电流为 1 mA 到 20 mA 的低噪声、高增益宽带放大器

900 MHz 下 fT = 8 GHz，F = 0.9 dB

无铅，符合 (RoHS )封装

根据AEC-Q101提供的认证报告

潜在应用

无线通信

射频前端放大器和振荡器应用。