射频晶体管BFR182低噪声硅晶体管

射频晶体管BFR182低噪声硅晶体管，英飞凌射频晶体管

NPN 硅射频晶体管，适用于集电极电流为 1 mA 到 20 mA 的低噪声、高增益宽带放大器

封装：SOT23 

特征描述：

适用于集电极电流为 1 mA 到 20 mA 的低噪声、高增益宽带放大器

900 MHz 下 fT = 8 GHz，F = 0.9 dB

无铅，符合 (RoHS )封装

根据AEC-Q101提供的认证报告

产品应用：

无线通信

射频前端放大器和振荡器应用。

BGC100GN6的用途是什么？BGC100GN6 双向耦合器 IC 专为 2G / 3G / 4G RF 前端应用而设计。该装置包含一个双向耦合器，工作在 0.6 Ghz 到 2.7 Ghz 频率范围内的一个或多个频段。耦合输出包含一个用于抑制 5 GHz ISM 阻塞器的低通滤波器。该耦合器具有低插入损耗和高方向性。该耦合器通过 GPIO 引脚控制。不需要外部电源阻塞或射频解耦电容器。BGC100GN6 是一个完全集成的设备，采用英飞凌高容量 RF-CMOS 技术。该设备有一个非常小型的尺寸，仅为 1.1 x 0.7mm，蕞大高度为 0.4 mm。