存储器KLUDG8J1ZD-B0CQ 通用闪存128 GB

存储器KLUDG8J1ZD-B0CQ 通用闪存128 GB，三星存储器

产品型号：KLUDG8J1ZD-B0CQ

产品类别：嵌入式存储器 / 通用闪存

产品规格：

版本：UFS 2.1  

容量：128 GB

工作电压：1.8/3.3 V

接口：G3 2Lane

封装尺寸：11.5 x 13 x 1.2 mm   

工作温度：-40 ~ 105 °C

注释：  UFS 为通用闪存 。

移动存储的未来 :   UFS 3.1，这是旨在满足 5G 不断增长的需求的闪存存储。高达 1TB 的存储空间和更快的写入速度被封装进一个纤薄的尺寸架构中，非常适合移动设备和汽车解决方案。这意味着更少的缓冲和更多的空间——因此您可以充分运用支持 5G 的优质产品。

在 5G 时代表现优绣，5G 数据的连接速度比之前有大幅提升，实现了高大容量数据处理。UFS 3.1是为5G设备优化的存储，满足了对更多存储、速度和控制的需求。

强大的移动性能，为了满足 5G 设备的需求，UFS 3.1 的写入速度是上一代通用闪存存储的 3 倍。此驱动器的 1,200 百万字节/秒 (MB/s) 速度可增强高性能，有助于防止下载文件时缓冲，从而让您在连接频繁的世界中享受 5G 的 低延 迟 连 接性 。

写入速度高达 1,200 MB/s，注意写入速度可能因容量而异：128 千兆字节 (GB) 高达 850MB/s，256GB 和 512GB 高达 1,200MB/s。

体验更快的电子器件工程联合委员会 (JEDEC) 标准速度，UFS 3.1 以 JEDEC 标准为支撑，可提供高性能存储和更快速度。这在一定程度上要归功于 写入助推器，该技术提高了写入速度，有助于您尽可能快地保存媒体。

为您的记忆提供的内存，随着照片和视频技术呈指数级增长，您所使用的捕获设备需要存储容量来跟上这种增长。UFS 3.1 拥有高达 1TB 的存储空间——为您提供空余空间。

微小尺寸架构中的巨大力量，为了适应各种设备，UFS 3.1 设计为只有 0.8 毫米高。这为 5G 连接所需的所有硬件提供了充足的空间，同时仍实现快速、宽敞的存储空间。注意0.8 毫米仅适用于 128GB 容量。

为您的 5G 生活方式设计，您可在汽车解决方案中找到 UFS 3.1，以增强您的驾驶体验、存储导航系统、机器学习和其他使您的汽车更加智能的技术。它还用于其他 需要快速、大规模存储（如增强现实/虚拟现实）的 5G 连接移动设备以及录制设备。无论是在车里还是家里，UFS 3.1 都能满足您对高速度、高容量的需求。

QLC 解决方案非常适合面向容量的读取密集型应用，可提供更低的占用空间和更理想的总拥有成本，并且提供生态系统，从而促进向太字节 SSD 的过渡。随着世界进入技术便利和创新的新阶段，设备将需要优质的内存解决方案。凭借三星在 2019 年度科技日活动中预先披露的 DRAM、V-NAND 和 SSD 解决方案，业界可以确信，三星正在为未来激动人心的创新奠定稳固的内存基础。