光耦器件EFM32LG330F256GFQFN64R
更新时间:2020-12-21 16:00:36
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详细介绍
多年来,作为 EEPROM 的更高效版本,闪存在很多领域已经取代。与光耦器件以字节为单位进行读写不同,闪存以固定大小的块来擦除、写入数据,这一特点使闪存的性能比有所提高。虽然有些闪存芯片由于在擦除之前不能写入,所以速度较慢,但一些新推出的闪存芯片具有边读边写功能,可以实现同时读写。闪存的访问方式与硬盘等块设备非常相似。NAND 使用文件系统进行分区,并作为随机存取存储区域使用,因此需要一个内存管理单元。另一方面,NOR 闪存可以像传统的 ROM 一样,以单个存储单元为单位进行读取。另外,为了延长闪存驱动器有限的写入周期数(寿命),还开发了耗损均衡技术,以减少对高使用率单元或区域的影响。闪存芯片比芯片更便携。但是,闪存芯片的每字节价格过于昂贵,无法作为大容量存储设备使用。目前,闪存用于数码相机安全数据卡、U 盘、手机、传呼机和扫描仪等设备的数码图片便携存储。闪存芯片也被用作笔记本电脑的固态磁盘和视频游戏机的存储卡。
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