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Class II和Class III电容器

Class II和Class III电容器全是高相对介电常数物质，特性不稳定，阻值转变范畴大，一般 作为开关电源去耦或是数据信号旁通。

阻值

Class II和Class III电容器，阻值随溫度、DC参考点及其AC参考点转变范畴很大。非常是作为开关电源去耦时，电容器都是有一定的直流电参考点，容量比允差值小许多 ，因此要留意具体阻值是不是考虑设计方案规定。

谐波失真电流量

做为DCDC的键入和輸出电容器，都是有一定的谐波失真电流量，因为ESR的存有会造成一定的升温。再加工作温度，不可以超出电容器的额定值溫度，比如X5R电容器蕞大信用额度溫度是85℃。

一般 因为双层瓷片电容ESR较小，能承担的谐波失真电流量很大。

自串联谐振

电容器因为ESL的存有，都是有一个自串联谐振。大空间的电容器，自串联谐振较低，只有1-2MHz。因此，为了更好地提升开关电源的高频率效用，很多小容值的去耦电容是务必的。除此之外，针对电源开关頻率很高的DCDC集成ic，要留意I/O电容器的自串联谐振。

ESR

设计方案DCDC电源电路，必须了解輸出电容器的ESR，来测算输出电压谐波失真。双层瓷片电容的ESR一般 较低，大概几到几十毫欧。