on电源管理芯片授权中国总代理

焊接on电源治理芯片高引线温度为300°C，外壳1/8"，持续5秒

on电源治理芯片的工作结温/储存温度范围：-55°C至+175°C

功耗：134W（TC=100°C时）功耗：268W（TC=25°C时）

脉冲集电极电流：200A

集电极电流：80A（TC=25°C时）集电极电流：50A（TC=100°C时）

瞬态栅极-发射极电压：±30V

栅极-发射极电压：±20V

集电极-发射极电压：650V

on的工作结温/储存温度范围：-55°C至+175°集电极电流：80A（TC=25°C时）集电极电流：40A（TC=100°C时）瞬态栅极-发射极电压：±30V栅极-发射极电压：±20V集电极-发射极电压：650V

安森美半导体AFGHL40T65SQ和AFGHL50T65SQ IGBT是第四代高速场终止型IGBT，非常适适用于汽车应用。on电源治理芯片和安森美半导体为硬开关和软开关拓扑提供on电源治理芯片佳机能。on电源管理芯片是符合AEC Q101尺度，具有超低开关和导通损耗。