onMMBF170LT1G

编号：863-MMBF170LT1G

制造商编号：MMBF170LT1G

制造商：onsemi

说明：MOSFET 60V 500mA N 沟道

onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 500 mA

Rds On-漏源导通电阻: 5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV

Qg-栅极电荷: -

Zui小工作温度: - 55 C

Zui大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 225 mW

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi

配置: Single

高度: 0.94 mm

长度: 2.9 mm

产品: MOSFET Small Signal

产品类型: MOSFET

系列: MMBF170L

3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: MOSFET

典型关闭延迟时间: 10 ns

典型接通延迟时间: 10 ns

宽度: 1.3 mm

单位重量: 8 mg