ti德州仪器SN74LVC1G08DCKR

SN74LVC1G08的特性

采用具有 0.5mm 间距的超小型 0.64mm2

封装 DPW

输入电压高达 5.5V

电压为 3.3V 时，tpd Zui大值为 3.6ns

低功耗，ICC Zui大值为 10µA

电压为 3.3V 时，输出驱动为 ±24mA

Ioff 支持带电插入、局部关断模式和后驱动保护

闩锁性能超过 100mA，

符合 JESD 78 II 类规范

ESD 保护性能超过JESD22 规范要求

2000V 人体放电模型 A114-A

200V 机器模型 A115-A

1000V 充电器件模型 C101

按照设计，此单路双输入正与门可在 1.65V 至 5.5V VCC 电压下运行。

CMOS器件具有高输出驱动，同时在宽 VCC 工作范围内保持低静态功率耗散。

SN74LVC1G08采用多种封装，包括外形尺寸为 0.8mm × 0.8mm 的超小型 DPW 封装。