on安森美代理LM339DR2G

这些比较器设计用于消费类电子产品和工业电子应用中的电平检测，低电平感测和存储器应用。

技术参数

单电源或分离电源操作

低输入偏置电流：25 nA（典型值）

低输入失调电流：±5.0 nA（典型值）

低输入失调电压

输入共模电压范围至GND

低输出饱和电压：130 mV（典型值）@ 4.0 mA

兼容TTL和CMOS

铅完成 磨砂锡

制造商类型 比较器

Zui高加工温度 260°摄氏度

Zui大输入偏置电流 0.25@5V等

Zui大输入失调电压 5 @ 5V毫伏

Zui大工作电源电压 ±18 | 36 V

Zui大功耗 1000兆瓦

安装 表面贴装

MSL级别 MSL 1-无限

每个芯片的通道数 4

工作电源电流 2 @ 5V毫安

工作电源电压 ±1.5 | 3伏

工作温度 0至70°C

输出类型 开放收藏家

引脚数 14

产品尺寸 8.75 x 4 x 1.5毫米

频闪能力 不

供应商包装 SOIC

技术 双极

典型响应时间 1.3

典型电压增益范围 90至110 dB