万代芯片AOZ8839DI-03
更新时间:2021-01-14 16:30:15
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万代芯片AOZ8839DI-03,万代场效应管
AOZ8839DI是瞬态电压抑制器阵列设计用于保护HDMI等高速数据线1.4 / 2.0,USB 3.0 / 3.1,LVDS和V合一免于损坏ESD事件。该设备集成了多个电涌额定值,低单个电容控制二极管和TVS包。 在瞬态条件下,转向二极管将瞬变引向电源的正极电源线或接地。AOZ8839DI提供典型的线对线电容为0.15 pF,插入损耗低更高的信号完整性,使其非常适合HDMI1.4 / 2.0或USB 3.0 / 3.1应用程序,例如数字电视,DVD播放器,计算机,机顶盒和MDDI移动计算设备中的应用程序。AOZ8839DI符合RoHS标准,并且无卤素2.5毫米x 1.0毫米x 0.55毫米DFN-10封装,额定温度范围为-40°C至+125°C温度范围。
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