万代芯片AOZ8231ADI-12

万代芯片AOZ8231ADI-12，万代二极管

AOZ8231A是单线双向瞬态电压抑制二极管，旨在保护电压高瞬态条件和防静电该器件在一个超小型器件中集成了一个TVS二极管DFN 1006封装。 可用于满足ESDEC 61000-4-2级别4的抗扰性要求（±15kV空气，±8kV接触放电）。AOZ8231A采用符合RoHS要求的无卤素DFN 1.0 mm x 0.6 mm封装，额定功率为-40°C至+85°C环境温度范围。1.0mm x 0.6mm x 0.5mm DFN超小型封装使其非常适合需要PCB空间的应用溢价。 小尺寸和高ESD保护使

非常适合保护电压敏感电子高瞬态条件和ESD。

应用领域：

便携式手持设备

键盘，数据线，按钮

笔记本电脑

数码相机

便携式GPS

MP3播放器。