旺诠合金电阻LRO6HTDR0O6

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　　随着电子元件越来越小（纳米级），量子特性和效应逐渐显现。随着我们不断减小晶体管的尺寸，其Pn结耗尽层的尺寸也越来减小。耗尽层非常重要，用于阻止电子的流动。研究人员通过计算得出，由于电子在其耗尽区中的隧道效应，小于5nm的晶体管将无法阻止电子流动。由于隧穿，电子将不会感知耗尽区域，直接跨穿。如果不能阻止电子流动，晶体管就会失效。除了量子隧穿和物理极限，还有两个很制约的工艺问题，那就是晶体管小尺寸的加热效应。随着晶体管变小，晶体管往往会变得更"漏"，即使在OFF状态下。也不可避免要让一些电流通过。这称为漏电流。如果我们将漏电流设为100 nA如果CPU有1亿个晶体管，那么泄漏电流将为10A。这将在几分钟内耗尽手机电池。较高的栅极电压可以减少漏电流量，但这会导致更多的加热效应。即使不考虑到它，每个时钟计算本身也消耗了大量的热量。制造商必须使用这些属性并使它们恰到好处地防止这些影响。随着流程变得越来越小，工艺越来越难。