NXP音频MC33FS65102CAE

　　主营产品：NXP电源管理芯片，电源管理芯片，NXP音频，传感器芯片，NXP传感器芯片

由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结电源管理低（约低0.2V）。

　由于是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结电源管理的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于结构与电源管理更加成熟，也是Zui受热击穿的，反向漏电流比PN结电源管理大。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）电源管理或表面势垒电源管理，它是一种热载流子电源管理。肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。