射频晶体管BFS17WH6327XTSA1 NPN 硅RF晶体管

射频晶体管BFS17WH6327XTSA1  NPN 硅RF晶体管，英飞凌射频晶体管

NPN 硅 RF 晶体管，适用于在集电极电流从 1 mA 至 20 mA 的情况下高达 1 GHz 的宽带放大器。

封装：SOT323

行业应用：无线通信、射频前端放大器和振荡器应用。

NPN 硅射频晶体管，适用于集电极电流为 1 mA 到 20 mA 的低噪声、高增益宽带放大器。

特征描述：

适用于集电极电流为 1 mA 到 20 mA 的低噪声、高增益宽带放大器

900 MHz 下 fT = 8 GHz，F = 0.9 dB

无铅，符合 (RoHS )封装

根据AEC-Q101提供的认证报告。

应用：无线通信、射频前端放大器和振荡器应用。