射频晶体管BFS483低噪声硅晶体管

射频晶体管BFS483低噪声硅晶体管，英飞凌射频晶体管

NPN 硅射频晶体管，适用于集电极电流为 2 mA 到 30 mA 的低噪声、高增益宽带放大器

封装：SOT363

特征描述：

适用于集电极电流为 2 mA 到 30 mA 的低噪声、高增益宽带放大器

900 MHz 下 fT = 8 GHz，F = 0.9 dB

两个（电流）内部隔离晶体管封装在一个封装中

卷轴中的方向请参见数据表中的封装信息

无铅，符合 (RoHS )封装

根据AEC-Q101提供的认证报告

潜在应用

无线通信

射频前端放大器和振荡器应用。