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avx钽电容的结构与限制

发布:2020-08-25 10:45,更新:2010-01-01 00:00

相比横向结构,纵向设计在缩减高度上受限制更大,目前的电容器高度一般在3.5~4.5mm。今天,这一因素更显重要,甚至在有如电信基础设施、军事等应用中,电子产品的小型化也正成为一个考验,这在过去是不曾有的。利用两个阳极横向镜像结构研究人员已经开发出一种新型的多阳极结构。avx钽电容的结构使用改良的引线框形状,引线框定位于两阳极中间。这种结构解决了电极横向排列的连接问题,并使工艺改装费用下降到了可接受的水平。两阳极镜像设计的ESR性能稍逊色于三阳极纵向结构的效果,但它制造起来更便宜。镜像设计的主要好处在于,它使多阳极电容器的高度减小,其对称的布局有助于减少自感。avx钽电容对称贴片电阻的结构对电感回路作了部分补偿,有利于将ESL降低至采用经典引线框设计的方案之下。另一方面,横向设计需要为阳极之间的连接产生新的解决方法,这直接导致了代价高昂的技术修改。因此,迄今为止这种设计并没有被用于单一多阳极电容的批量生产。横向的设计更经常使用于一些特殊应用中,方式是通过焊接或跳汰系统,将两个或两个以上完整的电容器叠加到阵列或模块中。两阳极横向结构与三阳极系统的纵向结构的ESR值相似。然而,相对而言横向结构在ESR上性价比优势更显著。

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