射频晶体管BFP183W低噪声硅双极RF晶体管，英飞凌射频晶体管

NPN 硅射频晶体管，适用于集电极电流为 2 mA 到 30 mA 的低噪声、高增益宽带放大器。

封装：SOT343

特征描述：

适用于集电极电流为 2 mA 到 30 mA 的低噪声、高增益宽带放大器

900 MHz 下 fT = 8 GHz，F = 0.9 dB

无铅，符合 (RoHS )封装

根据AEC-Q101提供的认证报告。

潜在应用：

无线通信

射频前端放大器和振荡器应用。

BGSX22G2A10 RF MOS开关是专为什么设计的 ?BGSX22G2A10 RF MOS开关专为LTE和WCDMA三重天线应用而设计。 该DPDT具有低插入损耗和低谐波产生，并在RF端口之间实现高隔离度。 该开关通过GPIO接口进行控制。 片内控制器允许2.3V至3.4V的电源电压。 交换机具有直接连接电池功能和无直流RF端口。 与GaAs技术不同，只有在外部施加直流电压时才需要射频端口上的外部隔直电容。 BGSX22G2A10射频开关采用英飞凌专利的MOS技术制造，提供GaAs的经济性能和传统CMOS集成度，包括固有的更高ESD稳健性。