闪存中的下一个划时代事件垂直 NAND (V-NAND) 是一种闪存类型，其单元垂直堆叠，以提供更大的容量、更快的速度和更低的功耗。三星的第七代 V-NAND （也于 2019 年度科技日活动中提出）具有近 200 (1yy) 单元层，适用于移动应用和其他高及内存应用。三星蕞新推出的是 V6 V-NAND 解决方案，V7、V8、V9 和 Vxx 型解决方案也将在未来开发。每个后续型号将具有更大的额外（备用块）容量，以帮助重新映射。