由于 DRAM 单元中负责数据存储的电荷会缓慢地泄漏出来，因此 DRAM 单元必须定期刷新或重写。这个刷新过程是动态的，因此被称为“DRAM”（动态随机存取存储器）。刷新和持续的能源需求使得 DRAM 成为高耗能/低效率的选择。DRAM 的刷新需求也降低了它的运行速度另一方面，由于新，因此它可以支持比 DRAM 更快、更可靠的读写周期时间。此外，由于 SRAM 不需要在数据访问之间暂停，因此微控制器的周期时间短得多。由于每个芯片的存储单元更多，SRAM 芯片比 DRAM 芯片更昂贵，且需要更多的功率。因此，微控制器通常用于高速缓冲存储器和图象存储器，而 DRAM 则用作主要的半导体存储器技术。除了更快的运行速度外，微控制器具有更高的运行效率。DRAM 异步运行，先对请求作出反应，然后一次处理一个请求。另一方面，SRAM 与处理器的时钟同步，能够以更复杂的方式和更高的速度运行。Zui后，DRAM 以及 SRAM 芯片加固后，其温度范围可以支持工业和军事应用。