钽电容和氧化铌电容与其它电容技术相比，我们可以发现许多显著优势。与铝电解电容不同的是，钽电容和氧化铌电容不存在干涸效应，因此具有更稳定的电气参数(电容、ESR、漏电流等)，这意味着它们的性能和功能可以在长时间内保持一致和可靠。钽电容和氧化铌电容不存在任何压电效应，压电效应会在多层陶瓷电容中产生讨厌的额外噪声。钽和氧化铌器件的另一个优势是在一定温度和直流偏置范围内具有更好的参数稳定性。宽频耦合要求高端电容在一定温度和直流电压范围内保持稳定。由于没有压电效应，电容值随温度变化较小，且与电压无关，钽或氧化铌电容用于耦合电路。为了在设计中能正确使用钽电容和氧化铌电容，我们必须充分考虑目标电路和设备的所有重要的电气和物理条件。输入参数通常需要提供电容值，这个值可以根据电源线滤波比、Zui大压降等计算出来。正确选择电容需要考虑的另一个重要参数是直流工作电压。推荐电压降额使用这个一般规则很重要，对所有钽电容来说降低幅度为50%，氧化铌电容是20%，这意味着钽电容的工作电压Zui高为额定电压Vr的一半，氧化铌电容的工作电压为其额定电压的80%。