高聚物电解电容器

像Intel的CPU那样的大功能损耗元器件，一颗集成ic80多瓦的功能损耗，核电流量几十到几百安，另外cpu主频很高，高频率成份多。这时候对去耦电容的规定就很高：

电容器值要大，考虑大电流量规定；

额定值RMS电流量要大，考虑大电流量规定；

ESR要小，考虑高频率去耦规定；

阻值可靠性好些；

表层帖装，高宽比不可以太高，由于一般 置放在CPU反面的BOTTOM层，以做到蕞好是的去耦实际效果。

这时候，挑选高聚物电解电容器更为适合。

除此之外，针对声频电源电路，一般 必须采用藕合、去耦电容，因为声频的頻率很低，因此必须用大电容器，这时高聚物电解电容器也很适合。