安森美半导体FGHL50T65SQDT IGBT是第四代场终止型IGBT，on电源管理芯片是具有on电源管理芯片佳性能。该IGBT可轻松实现并联运行，而且具有低导通和开关损耗。安森美半导体非常适合用于低导通和开关损耗至关重要的应用。这些包括太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS和PFC应用。

on电源管理芯片的特性

正温度系数

低饱和电压具有正温度系数，便于并联工作

快速开关，高电流能力

零件经过ILM测试，高输入阻抗

的参数分配，符合RoHS指令

应用太阳能逆变器，焊接设备功率因数校正

规范，集电极-发射极电压：650V

栅极-发射极电压，瞬态栅极至发射极电压：±30V

集电极电流，集电极电流，脉冲集电极电流

二极管正向电流：75A（TC=25°C时）

二极管正向电流：50A（TC=25°C时）