AO4407A沟道 MOSFET 概述 AO4407A 采用先进的沟槽技术，可提供出色的 RDS (ON) 和具有 25V 栅极额定值的超低栅极电荷。该设备适合用作负载开关或在 PW M 应用中使用。* RoHS 和无卤素投诉产品摘要 VDS = -30V ID = -12A (VGS = -20V) RD11 mΩ。

Digi-Key 部件号：785-1022-2-ND - 卷带 (TR)

785-1022-1-ND - 切割胶带 (CT)

785-1022-6-ND - Digi-Reel?

制造商产品编号：AO4407A

描述：MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC

详细说明：P 沟道 30 V 12A (Ta) 3.1W (Ta) 表面贴装 8-SOIC

类别：分立半导体产品

晶体管 - FET、MOSFET - 单

制造商：阿尔法和欧米茄半导体公司

系列：——

包裹：卷带 (TR)：切割胶带 (CT)：：零件状态

不适用于新设计：场效应管类型：P-通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压 (Vdss)：30伏

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：12A (Ta)

驱动电压 (Max Rds On, Min Rds On)：6V、20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs：11mOhm @ 12A, 20V

Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250?A

栅极电荷 (Qg)（Zui大值）@ Vgs：39 nC @ 10 V

Vgs（Zui大）：±25V

输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds：2600 pF @ 15 V

场效应管特性：——

功耗：3.1W (Ta)

工作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)

安装方式：表面贴装

供应商设备包：8-SOIC

包装/箱：8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽)

基本产品编号：AO4407