制造商编号：FDN342P

制造商：onsemi / Fairchild

说明：MOSFET SSOT-3 P-CH -20V

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: 贴片/贴片

封装 / 箱体: SSOT-3

晶体管极性: P-通道

通道数量: 1个频道

Vds-漏源极击穿电压: 20伏

Id-连续漏极电流: 2A

Rds On-漏源导通电阻: 62 毫欧

Vgs - 栅极-源极电压: - 12 伏，+ 12 伏

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5V

Qg-栅极电荷: 9 纳克

Zui小工作温度: - 55 摄氏度

Zui大工作温度: + 150 摄氏度

Pd-功率耗散: 500 毫瓦

通道模式: 增强

商标名: 动力战壕

封装: 卷轴

封装: 剪胶带

封装: 鼠标卷轴

商标: onsemi / 仙童

配置: 单身的

下降时间: 8 纳秒

正向跨导 - Zui小值: 7秒

高度: 1.12 毫米

长度: 2.9 毫米

产品: MOSFET 小信号

产品类型: MOSFET

上升时间: 8 纳秒

系列: FDN342P

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFET

晶体管类型: 1 个 P 通道

类型: MOSFET

典型关闭延迟时间: 9 纳秒

典型接通延迟时间: 20 纳秒

宽度: 1.4 毫米

零件号别名: FDN342P_NL

单位重量: 30 毫克