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AO4620的概述：

AO4620采用先进的沟槽技术MOSFET来

提供卓越的RDS（ON）和低聚物。

互补MOSFET可用于逆变器和其他应用。

标准产品AO4620是无铅（符合ROHS和Sony 259规格）。

AO4620使用先进的沟槽技术MOSFET

提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。

标准产品AO4620无铅（符合ROHS和Sony 259规格）。

场效应管类型 N和PZui大值

场效应管功能 逻辑逻辑门

漏源极电压（Vdss） 30伏

电流-连续峰值（Id）（25°C时） --

不同的Id，Vgs时的Rds On（至少） 24毫欧@ 7.2A，10V

不同Id时的Vgs（th）（每秒） 2.6V @ 250µA

不同的Vgs时的二氧化碳含量（Qg）（至少） 11nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（每秒） 15V时为448pF

功率-Zui高 2W

工作温度 -55°C〜150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）

供应商器件封装 8-SOIC