AOS集成电路AOZ8S301UD4-03，万代场效应管

AOTL66518和AOB66518L的蕞高结温高达175°C，并通过限制高浪涌来保护负载软启动，eFuse和热插拔应用条件下的电流。AOTL66518采用TOLL封装的150V MOSFET具有很高的耐用性。 TOLL套件减小了30％与TO-263（D2PAK）封装相比，其占位面积小，并且由于采用了夹子技术，因此具有更高的电流能力。 AOTL66518具有一个与TO-263相比，从硅结到封装外壳底部（Rthjc）的热阻非常低。这些这些特性使电信设计人员可以减少并联MOSFET的数量。“高可靠性和强大的线性模式性能是电信中的关键指标。 AOTL66518和

AOB66518L具有高SOA和低导通电阻，可以满足这些苛刻的要求。” Peter H. Wilson说。