万代集成电路AOZ8661BDT-05，万代二极管

AOZ8661BDT-05是单通道瞬态设计用于保护高速数据的电压抑制器高瞬态电压的线路和电压敏感电子设备条件和ESD。

金氧半场效晶体管的栅极材料

理论上金氧半场效晶体管的栅极应该尽可能选择电性良好的导体，多晶硅在经过重掺杂之后的导电性可以用在金氧半场效晶体管的栅极上，但是并非完美的选择。目前金氧半场效晶体管使用多晶硅作为的理由如下：

金氧半场效晶体管的临界电压（threshold voltage）主要由栅极与沟道材料的功函数之间的差异来决定，而因为多晶硅本质上是半导体，所以可以借由掺杂不同极性的杂质来改变其功函数。更重要的是，因为多晶硅和底下作为沟道的硅之间能隙相同，因此在降低PMOS或是NMOS的临界电压时可以借由直接调整多晶硅的功函数来达成需求。