尼克森供应PK610DZ ，NIKO场效应管

线性区（三极区或欧姆区）（linear region, triode mode or ohmic mode）)）

当 VGS > Vth 且 VGD > Vth 时：

此处VDS为NMOS漏极至源极的电压，则这颗NMOS为导通的状况，在氧化层下方的沟道也已形成。此时这颗NMOS的行为类似一个压控电阻（voltage-controlled resistor），而由漏极向源极流出的电流大小为：

{\displaystyle I_{D}=\mu _{n}C_{ox}{\frac {W}{L}}(V_{GS}-V_{th}-{\frac {V_{DS}}{2}})V_{DS}}{\displaystyle I_{D}=\mu _{n}C_{ox}{\frac {W}{L}}(V_{GS}-V_{th}-{\frac {V_{DS}}{2}})V_{DS}}

μn是载流子迁移率（carrier mobility）、W是金氧半场效晶体管的栅极宽度、L是金氧半场效晶体管的栅极长度，而Cox则是栅极氧化层的单位电容大小。在这个区域内，金氧半场效晶体管的电流—电压关系有如一个线性方程式，因而称为线性区。