SINOPOWER芯片SM4504NHKP，大中积体场效应晶体管

产品名称：N沟道增强型MOSFET

编号：SM4504NHKPC

包装类型：DFN5X6-8

工作结温范围：C：-55至150 oC

卷带式

组装材料G：卤素和无铅设备。

作者分析认为：这种特殊的传输特性是分别由光电导效应和光伏效应引起的，体现了钙钛矿材料载流子传输机制的特殊性。在50 mW/cm2的光照条件下，所制备的场效应晶体管在室温下具有0.40（0.34）cm2 V-1 s-1的电子（空穴）迁移率，显著优于迄今为止所报道过的基于CsPbBr3钙钛矿材料的场效应晶体管。另外，所制器件也表现了优良的光探测器性能。