万代代理AOZ8001DI，万代二极管

封装：DFN1.6x1.6-6L

AOZ8001DI是瞬态电压抑制器阵列设计用于保护高速数据线免受ESD和闪电。该器件具有四个浪涌额定值，低电容单个封装中的转向二极管和TVS。中在瞬态条件下，转向二极管指导瞬态到电源的正极线或接地。它们可用于满足ESDIEC 61000-4-2第4级抗扰度要求TVS二极管可有效抑制ESD电压：±15kV（空气放电）和±8kV（接触卸货）。AOZ8001DI采用符合RoHS的DFN1.6mm x 1.6mm封装，额定温度范围为-40°C至+ 85°C环境温度范围。与...兼容无铅和SnPb组装技术。1.6mm x 1.6mm DFN封装非常小巧非常适合需要PCB空间的应用。DFN具有用于蕞佳且用户友好的PCB布局设计。小尺寸，低电容和高ESD保护使得它是保护高速视频和数据的理想选择通讯接口。