万代芯片代理 AON7405，万代场效应管

封装：DFN3.3x3.3-8L

AON7405使用先进的沟槽技术达到-30V，提供低栅极电荷的出色RDS（ON）。该设备是负载开关和电池保护的理想选择

应用程序。

•符合RoHS和无卤素标准。AONS32310具有在施加的栅极-源极电压等于10VGS时，蕞大Rds（on）为1.05mΩ。高可靠性是数据中心基础架构的一项重要指标。