万代芯片代理 AON7405
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万代芯片代理 AON7405,万代场效应管
封装:DFN3.3x3.3-8L
AON7405使用先进的沟槽技术达到-30V,提供低栅极电荷的出色RDS(ON)。该设备是负载开关和电池保护的理想选择
应用程序。
•符合RoHS和无卤素标准。AONS32310具有在施加的栅极-源极电压等于10VGS时,蕞大Rds(on)为1.05mΩ。高可靠性是数据中心基础架构的一项重要指标。
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封装:DFN3.3x3.3-8L
AON7405使用先进的沟槽技术达到-30V,提供低栅极电荷的出色RDS(ON)。该设备是负载开关和电池保护的理想选择
应用程序。
•符合RoHS和无卤素标准。AONS32310具有在施加的栅极-源极电压等于10VGS时,蕞大Rds(on)为1.05mΩ。高可靠性是数据中心基础架构的一项重要指标。