AOS代理AON6236，万代MOSFET

封装：DFN5x6-8L

AON6236使用沟槽MOSFET技术经过独特的优化以提供蕞高傚的频率切换性能。功率损耗为由于以下因素的极低组合而蕞小化RDS（ON）和Crss。此外，开关行为也很好由“肖特基风格”软恢复身体控制二极管。新系列产品封装在DFN2.5mm x 1.0mm和DFN2x1mm无铅表面贴装器件（SMD）中，其流通特性为非常适合印刷电路板上差分对的布线设计。