深圳市合通泰电子有限公司
电容 , 二三极管 , 电感 , IC
NXP音频MC33FS65102CAE

  主营产品:NXP电源管理芯片,电源管理芯片,NXP音频,传感器芯片,NXP传感器芯片

由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度,故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结电源管理低(约低0.2V)。

 由于是一种多数载流子导电器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间,完全不同于PN结电源管理的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少,故开关速度非常快,开关损耗也特别小,尤其适合于高频应用。但是,由于SBD的反向势垒较薄,并且在其表面极易发生击穿,所以反向击穿电压比较低。由于结构与电源管理更加成熟,也是Zui受热击穿的,反向漏电流比PN结电源管理大。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)电源管理或表面势垒电源管理,它是一种热载流子电源管理。肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。

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