功率器件IRF640NPBF
功率器件IRF640NPBF ,英飞凌功率器件
IRF640NPBF200V 单个 N 通道 IR MOSFET, 采用 TO-220AB 封装。
特征描述:
宽SOA的平面单元结构;
针对分销合作伙伴的蕞广泛可用性进行了优化;
根据JEDEC标准的产品认证;
硅经过优化,适用于低于100kHz的开关应用;
行业标准的通孔电源封装;
高电流承载能力封装(高达195 A,取决于芯片尺寸);
能够波峰焊。
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功率器件IRF640NPBF ,英飞凌功率器件
IRF640NPBF200V 单个 N 通道 IR MOSFET, 采用 TO-220AB 封装。
特征描述:
宽SOA的平面单元结构;
针对分销合作伙伴的蕞广泛可用性进行了优化;
根据JEDEC标准的产品认证;
硅经过优化,适用于低于100kHz的开关应用;
行业标准的通孔电源封装;
高电流承载能力封装(高达195 A,取决于芯片尺寸);
能够波峰焊。