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电容器投切分为动态投切和静态投切,国标规定响应时间1秒以内为动态投切;超过3秒为静态投切,投切开关按动态投切使用:晶闸管开关(可控硅);又称无触点投切,过零投切,无涌流,通过控制器控制输出12V直流电压来控制开关的通断。

静态投切使用:电容投切专用接触器,此种接触器采用延时投切技术控制电容器投切时涌流的出现。控制器通过无源触点控制接触器。功率因数控制器,不同的投切开关控制方式不同,因此对应控制器也是不同的。即控制器型号是由投切开关(投切方式)决定的。例如:如果投切开关为晶闸管类型(需12V直流电源触发控制),采用正尔ZM-PFC16T;如果投切开关为接触器投切,通过无源触点控制,采用ZM-PFC16R。配套保护装置由做无功补偿整柜方做柜子时提供,一般补偿供应商提供:电容器+电抗器+投切开关+功率因数控制器;由成套商提供补偿柜内其他保护元件,组成柜体供给客户。我们知道,整个阻抗曲线呈大V型,只有在谐振频率点附近的阻抗才比较低。所以,实际的去耦电容都有一定的工作频率范围,只有在谐振频率附近,电容才有很好的去耦作用。可能有人会觉得,在频率比谐振频率高一点的时候,电容都成感性了,都不是电容了,所以不能让噪声的频率大于电容的谐振频率。其实这是错误的,去耦就是要选阻抗低的,阻抗低,在电容上产生的电压波动就小,也就是噪声会小。

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