作为钽电容负极板层运用的半导体，二氧化锰有自愈才能。但是，这种低阻是有限的，在低阻抗电路的情况下，电容器或许被浪涌电流击穿。降压的电容增加了元件的可靠性。avx钽电容额定电压运用上常见的电压轨道、低阻抗钽电容在电路进行快速充电或放电时，保护电阻主张为1Ω/V，假如达不到此要求应运用钽电容器降压系数高达70%，在这种情况下，或许需求更高的电压比作为一个单一的电容。

　跟着频率的增加损耗要素所示钽和OXICAP电容器的典型曲线相同，这是电流电压的比值，在指定的频率。三个要素促成了钽电容器的阻抗，半导体层的电阻电容、电极和引线电感，在高频率导致的电感成为一个限制要素。温度和频率的行为确定这三个要素的阻抗行为，阻抗Z阻抗是在25度和100KHZ。阻力损失发生在全部可行的形式电容器。这些都是由几种不同的机制，包括电阻元件和触点、粘性实力内介质和出产旁路的缺陷电流途径。为了表达对他们的这些损失的影响，可以视为电容的的频率与依托性的可用联系。ESR和阻抗都随频率增加，在较低频率值作为额定的奉献不合阻抗变得愈加重要。avx钽电容代理代理商能承受的电压和电飘流涌才能是有限的，这是基于一切电解电容的共同属性，一个值够高的电应力会穿过电介质，从而破坏了介质。

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